- 產品詳情
| Product | Blocking Voltage BVDSS (V) | ID(max) (A) | RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ) | Qg Total (nC) | Output Capacitance (pF) | Tj Max (°C) |
| NCS025M3E120NF068-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
| NCS025M3E120NT066-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
NCS025M3E120NF06X 是一款 1200V、11mΩ 的碳化硅(SiC)MOSFET 裸芯片，具有以下特點：
高電壓與低導通電阻：1200V 耐壓，11mΩ 導通電阻，適合高電壓、高效率應用。
高開關頻率：支持高頻率操作，有助于減小電路尺寸。
高可靠性：通過多種可靠性測試，如高溫反向偏置(HTRB)和高溫柵極偏置(HTGB)，確保穩定工作。
高雪崩能力：增強系統在過載情況下的安全性。
高閾值電壓：降低誤開通風險，提高系統穩定性。
應用領域
電動汽車：用于主逆變器和 DC-DC 轉換器，提高效率和功率密度。
可再生能源：適用于太陽能和風能發電系統，提升能源轉換效率。
工業電源：用于高效率、高功率密度的電源轉換。
數據中心和通信電源：降低能耗，提高系統可靠性。
