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BFP196WH6327XTSA1低噪聲硅RF晶體管Infineon英飛凌

發(fā)布時間：2024-10-28 09:01:28     瀏覽：2943

BFP196WH6327XTSA1低噪聲硅RF晶體管Infineon英飛凌

　　BFP196WH6327XTSA1 是一款低噪聲硅射頻(RF)晶體管，專為需要高頻率和低噪聲放大的應用而設計。以下是該晶體管的一些關鍵特性和參數(shù)：

　　特征描述：

　　1. 集電極電流范圍： 適用于集電極電流從20毫安(mA)至80毫安(mA)。

　　2. 頻率范圍： 適用于頻率高達1.5吉赫茲(GHz)的天線和電信系統(tǒng)。

　　3. 低噪聲和低失真： 適合寬帶放大器，如DECT(數(shù)字增強無繩通信)和PCN(個人通信網(wǎng)絡)系統(tǒng)的功率放大器。

　　4. 頻率特性： 在900兆赫茲(MHz)下，其轉換頻率(fT)為7.5吉赫茲(GHz)，噪聲系數(shù)(F)為1.3分貝(dB)。

　　5. 環(huán)保： 無鉛，符合歐盟的RoHS(限制有害物質使用)標準。

　　6. 認證： 根據(jù)汽車電子委員會(AEC)的AEC-Q101標準提供認證報告。

　　潛在應用：

　　1. 無線通信： 適用于無線通信設備。

　　2. 射頻前端： 作為低噪聲放大器(LNA)使用。

　　3. 其他應用： 適用于蜂窩電話、無繩電話、DECT、協(xié)調器、FM(調頻)和RF(射頻)調制解調器等多種應用。

　　參數(shù)：

　　最大增益(Gmax)： 在900MHz時為19分貝(dB)。

　　最大集電極電流(IC)： 150毫安(mA)。

　　最小噪聲系數(shù)(NFmin)： 在900MHz時為1.30分貝(dB)。

　　三階互調截取點(OIP3)： 在900MHz時為32分貝毫瓦(dBm)。

　　1分貝壓縮點(OP1dB)： 在900MHz時為19分貝毫瓦(dBm)。

　　封裝類型： SOT343。

　　最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO)： 12伏特(V)。

　　這款晶體管因其低噪聲和高增益特性，非常適合用于需要高線性和高效率的射頻放大器設計。

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